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CREE的CMPA2735030是種隨著氮化鎵 (GaN) HEMT 的單面微波射頻融合集成運放 (MMIC)。與硅或砷化鎵相比較較，GaN具備著更多成績突出的穩定性；還包括越來越高的穿透場強；越來越高的過剩電子為了滿足電子時代發展的需求，漂移質量和越來越高的導電指數。與Si和GaAs氯化鈉晶體管相較較，GaN HEMT還打造了更大的工作功率密度單位和更寬的傳輸速率。CMPA2735030以及有級電抗兼容熱效率調小器來設計想法，可以做到頗為寬的傳輸速率。

顯著特點

固定電阻值高至 50 V

高穿透場強

尺寸為 5mm x 5mm；QFN 封裝

高的溫度度施用

廣泛應用行業

民用建筑型和軍品用脈寬雷達天線電率增加器

產品設備型號

詳情：30 W、2.7 - 3.5 GHz、50 V、GaN MMIC 馬力調大器

評均幀率(MHz)：2700

最底頻段(MHz)：3500

最低值傳輸功效(W)：30

收獲值(dB：)30.0

上班能力（％）：45

穩定工作電壓(V)：50

的形式：離散裸處理芯片

封裝類：Die

技術性：GaN-on-SiC

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