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CREE的CMPA1D1E030D是款氫氟酸處理硅多晶硅上會根據氮化鎵 (GaN) 高電子技術滲透率尖晶石管 (HEMT) 的單面微波加熱ibms控制電路 (MMIC)；CMPA1D1E030D適用0.25μm柵極大小藝水平。與硅相對于較，GaN-on-SiC具備更加的成績突出的使用性能；砷化鎵或硅基氮化鎵；涵蓋高的電壓擊穿場強；高的飽滿手機漂移轉化率和高的導熱性數值。

特征英文

27 dB 小數據信號收獲值

30 W 舉例 PSAT

運作端電壓高至 40 V

高熱擊穿場強

高熱度控住

技術應用科技領域

北斗衛星電力上升路由協議

產品的規格參數

說明：30瓦；13.75 至 14.5 GHz；40V；GaN MMIC 功效縮放器

最便宜速度(MHz)：13750

最底頻帶寬度(MHz)：14500

最底值讀取電功率(W)：30

收獲值(dB)：26.0

效應（％）：25

辦公相電壓(V)：40

手段：MMIC 裸片

封裝形式等級分類：Die

的技術：GaN-on-SiC

佛山市立維創展信息技術是有限的品牌授權文件經售CREE微波通信元器，假如可以購CREE服務，請點選左測客服專員連接人們！！！