欧美激情一区二区-国产激情在线-欧美在线一区二区-亚洲欧美综合

CREE的CMPA1D1E025F是款無定形碳硅單晶體上表明氮化鎵 (GaN) 高電子元器件轉至率單晶體管 (HEMT) 的片式徽波集成化電線 (MMIC)；應用 0.25 μm 柵極尺寸規格打造加工過程。與硅相比較較，GaN-on-SiC具備有更佳表現出色的耐腐蝕性；砷化鎵或硅基氮化鎵；帶有更大的擊穿電壓場強；更大的飽滿電子器材漂移生產率和更大的傳熱性比率。CMPA1D1E025 適用 10 電線；25 mm x 9.9 mm；金屬件/瓷器蝶閥法蘭盤打包封裝可以保證 最不錯的電力電氣裝備和熱穩固性。

有特點

24 dB 小數據增加收益值

40 W 主要表現脈沖的信號的信號 PSAT

固定電阻值高至 40 V

OQPSK 下 20 W 波形馬力

A/B類高增益值；有錯誤率 50 Ω MMIC Ku 平率段高效率擴大器

app域

航天軍工用和商用機 Ku 股票波段汽車雷達

品牌金橋銅業跨接線的截面積大小

描敘：25瓦；13.75 至 14.5 GHz；40V；Ku 波長 GaN MMIC 輸出功率變大器

極低頻段(MHz)：13500

至高速度(MHz)：14500

更高值導出公率(W)：25

增益值值(dB)：26.0

辦公速率（％）：16

電機額定功率電流電壓(V)：40

分類：封裝形式的MMIC

封裝形式品類：法蘭部盤

工藝：GaN-on-SiC

成都 市立維創展科技信息不多我司授權管理經售CREE徽波元器件封裝，倘若需要購CREE商品，請鼠標點擊右下售后認識我！！！