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X3C19F1-20S一個低剖面，高安全性能20dB定向培養交叉耦合器在的新的非常易食用，創造友好合作的接觸面重新安裝包。它專為AMPS、GSM、WCDMA和LTE頻段應運而設定。X3C19F1-20S是專為靜態平衡性耗油率和低嗓聲拖動器、信號燈分配比例和其他想要低放入材料耗費和緊幅相靜態平衡性的應該用而設汁的。它不錯應用在25瓦下面的的大電機功率app。

X3C19F1-20S器件經過苛刻的認定自測，并在使用熱傳導公式公式（CTE）與比較普遍的基板（如FR4、G-10、RF-35、RO4003和聚酰亞胺）兼容的建筑材料生產加工。主要包括6/6完全符合RoHS規定的浸錫治理。

X3C19F1-20S癥狀：

1400-2700兆赫

AMPS、GSM、WCDMA和LTE

高電機功率

相當低的耗損

協調一致震幅動平衡

高消毒度

生育十分友好型

磁帶和卷盤

無鉛

X3C19F1-20S首要指標

次數（GHZ）：1.7 - 2.2

工率（W）：25

添加耗率（dB）：0.05

回波耗損（dB）：25

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