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JP503AS低剖面,高耐熱性3dB融合交叉耦合器原裝機倉庫

發布信息周期:2020-04-01 08:51:37     看:1777

JP503AS是一個低剖面,高性能的3dB混合耦合器在一個易于使用,制造友好的表面安裝包。它是為W-CDMA和其他3G應用而設計的。JP503AS是為平衡放大器、可變移相器和衰減器、低噪聲放大器、信號分配而設計的,是無線工業日益增長的小型印刷電路板和高性能需求的理想解決方案。零件經過嚴格的鑒定測試,并使用熱膨脹系數(CTE)與常見基板(如FR4、G-10、RF-35、RO4003和聚酰亞胺)兼容的材料制造。采用6/6符合RoHS標準的浸錫處理。

JP503AS低剖面,高性能3dB混合耦合器原裝庫存

JP503AS共同點:

2.0–2.3千兆赫。

3G頻繁

低損耗費

高隔離霜度

90°正交

界面貼裝

磁帶和卷盤

無鉛

100%測式

JP503AS重點技術指標

頻帶寬度(GHZ):2.0 - 2.3

公率(W):25

回波損失(dB):20.8

復制到損耗費(dB):0.30

南京市立維創展科技公司局限公司Anaren品脾的代分銷商商,重要展示 貼片混合型藕合電路器、巴倫電力變壓器、網絡延遲線、定項藕合電路器、Doherty合路器、功分器、微蜂窩型解耦器、 RF Crossovers品牌,品牌正品存量,非常價其優勢,喜歡了解

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