AM005WN-BI-R是一種種分立的GaN/SiC HEMT,其柵極總長寬比為0.5mm。它是一個個瓷器打包封裝,運轉的頻率可以達到12ghz。BI類別用于特定結構設計的瓷器二極管封裝,用于融入到式的安裝原則,中帶拉伸(BI-G)或直(BI)電纜線。封裝類型底的法蘭盤時可作直流變壓器一定接地線、rf射頻一定接地線和熱車道。此局部按照RoHS。
表現形式
可高達12GHz的高頻操作的
增益控制=15dB,P5dB=33.5dBm,PAE=51%,漏極=56%@3GHz
界面貼裝
能夠蒸發器的表層
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蜂窩遠程基站天線
寬帶網絡和窄帶增加器
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在軍事
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