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紅外光元元件
AM012WN-BI-R就是種分立的GaN/SiC HEMT，其柵極總：寬度為1.25亳米。它是在1個瓷器雙包工作高達hg10千兆赫。BI系類選用特別設計構思的衛浴陶瓷打包封裝，選用放入式連接方案，包含變形（BI-G）或直（BI）電線。封裝形式下方的活套法蘭的同時用在直流電源的接地系統、頻射的接地系統和熱通路。此部份滿足RoHS。
結構特征
高達獨角獸10GHz的高頻率控制
收獲=17dB，P5dB=37dBm，PAE=51%，漏極=55%@2.8ghz
外觀貼裝
有郊導熱的最底層
應運
高動態展示推送器
蜂窩有線移動信號塔
寬帶網絡和窄帶圖像放大器電路
聲納
考試設備
在軍事
干涉器