AM025WN-BI-R都是種分立的GaN/SiC HEMT,其柵極總總寬為2.5mm。它有的是個陶瓷廠家芯片封裝,任務概率高達獨角獸8千兆赫。BI系列產品按照比較特殊設計構思的陶瓷廠家二極管封裝,按照放到式進行安裝方法,會有微彎(BI-G)或直(BI)高壓導線。封裝類型下面的卡箍時當做直流電接地系統裝置、頻射接地系統裝置和熱的通道。此這部分具備RoHS。
共同點
可高達8GHz的低頻工作
增益值=16 dB,P5dB=40 dBm,PAE=52%,漏極=56%@3 GHz
外表面貼裝
行之有效熱管散熱的低層
操作
高動態化發收器
蜂窩有線移動信號塔
聯通寬帶和窄帶放小器
統計
公測器材
國防軍事
干預器