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Cree廠家的CMPA2560025F一種基本概念氮化鎵（GaN）高電子廠技術遷出率晶胞管（HEMT）的單支紅外光智能家居控制電源線路（MMIC）。與硅或砷化鎵比起來，GaN兼備越來越高的擊穿的電壓的電壓、越來越高的呈現飽和狀態電子廠技術漂移網絡速度和越來越高的熱導率。與Si和GaAs晶胞管比起來，GaN-hemt還兼備越來越高的最大功率高密度和更寬的帶寬使用使用。本身MMIC構成一款兩極發應搭配圖像功率放大器，使十分寬的帶寬使用使用可在一款小的占地賠償使用面積的鎖緊芯片封裝，兼備銅鎢散熱性能器。

優點?24 dB小預警增加收益?25 W其最典型的PSAT?運轉直流電壓高達獨角獸28 V?高損壞的電壓?常溫運動

應該用?過寬帶變大器?光纖線安裝變頻器?測試方法議器?EMC增加器