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XEC24P3-30G就是款低局部、高效果30dB定向就業耦合電路器，分為適于適用、生產制造融洽的單單從表面裝封口。它是專為IMS中波段，rf射頻升溫用途在2400兆赫至2500兆赫領域。它應該用做萬代高達300瓦的高效率用途。產品以及過認真的簽別測試儀，它們之間是選用熱開裂指數公式（CTE）的文件制造出的，以下文件與FR4、G-10、RF-35、RO4350和聚酰亞胺等普通材料兼容。供給6個ENIG（XEC24P3-30G）完全符合RoHS追求的飾面層。

XEC24P3-30G特性：?2400-2500兆赫?高瓦數?異常低的損耗量?密切合體?高跳轉到性?生產制造合理型?磁帶和護符?ENIG木飾面板