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所述CHV1203-FAB是低相位低頻噪音的S股票波段HBT壓控振蕩器器積分兌換負電阻功率器，變容二級管和緩沖縮放器。在100kHz擺動下，它可提高108dBc / Hz的優異相位低頻噪音。

它設計制作用以從外太空到商用通訊技術體系的大范圍應該用。

該電路設計是完全整合在InGaP HBT工藝流程上：2μm的火箭發射極長寬高，依據襯底和高Q無源構件的通孔。

它通過無鉛外面按照密封隔絕金屬材質瓷磚6x6mm2封裝。它以貼合RoHS的SMD封裝類型給予。