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CHZ180AaSEB 內部匹配的GAN功率晶體管
CHZ180AaSEB 內部匹配的GAN功率晶體管
更重要性能

CHZ180AaSEB  內部匹配的GAN功率晶體管

rf射頻帶寬使用（GHz）： 1.2-1.4小4g信號增益值（dB）：20瓦數（W）：200相關的增加收益（dB）： > 14P-1dB輸入輸出（dBm）：-PAE（％）： 52進貨交貨期：3-4周

品牌：UMS微波

軟件詳細情況講解

CHZ180AaSEB是輸入匹配和輸出預匹配的封裝氮化鎵高電子遷移率晶體管。它為L波段的各種RF功率應用提供了寬帶解決方案。

極為最適合單脈沖預警雷達app。

CHZ180AaSEB是在0.5μm柵長的GaN HEMT生產技術上提出來的。它應用場景準MMIC技巧。

它選擇密封圈法蘭部瓷器金屬件電源模塊封裝，可展示 低寄身和低導熱系數。


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