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CHK8101a99F 氮化鎵功率晶體管
CHK8101a99F 氮化鎵功率晶體管
根本性能參數

CHK8101a99F  氮化鎵功率晶體管

Glin（dB）@頻繁 （GHz）： 14 @ 6工做概率（GHz）：最好6個是處于飽和狀態最大功率（W）：  20PAE（％）@率（GHz）： 60 @ 6進貨交貨期：3-4周

品牌：UMS微波

產品設備情況講解

CHK8101a99F是20W氮化鎵高電子遷移率晶體管。

該物品為聲納和聯通光纖寬帶等各項RF24v電源應運帶來實用和光纖寬帶避免工作方案。

它是立于SiC襯底上的0.5μm柵長GaN HEMT的技術發掘的，或者非常非常符合RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006消息的明文規定。

它以裸單片機芯片手段提出者，如果需要外部結構配備電路板。


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