CHA2069-99F是三級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該用電線路采用了標準單位的pHEMT工藝技術打造:柵極直徑0.25μm,借助基鋼板的通孔,空氣的橋和電子技術束柵流星刻。
它以電源芯片結構能提供。
紅外光元電子電氣元件
CHA2069-99F 放大器– LNA
rf射頻服務器帶寬(GHZ):16 - 31收獲(dB):22增益值同軸度(dB):1背景噪聲數值(dB):2.5P-1dB模擬輸出(dBm):10定購貨期:3-4周CHA2069-99F是三級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該用電線路采用了標準單位的pHEMT工藝技術打造:柵極直徑0.25μm,借助基鋼板的通孔,空氣的橋和電子技術束柵流星刻。
它以電源芯片結構能提供。