CHA3688aQDG是三級自偏置寬帶單片低噪聲放大器單片電路。
該用電線路用到pHEMT加工加工,柵極段長度為0.25μm,根據的基板的通孔,冷空氣橋和電子器件束柵北極光刻方法加工。
它以適合RoHS的SMD芯片封裝作為。
微波通信元電子原件封裝
CHA3688aQDG 放大器– LNA
rf射頻帶寬的配置(GHZ):12.5-30收獲(dB):26收獲同軸度(dB):2燥音因子(dB):2P-1dB轉換(dBm):14備貨交貨時間:3-4周CHA3688aQDG是三級自偏置寬帶單片低噪聲放大器單片電路。
該用電線路用到pHEMT加工加工,柵極段長度為0.25μm,根據的基板的通孔,冷空氣橋和電子器件束柵北極光刻方法加工。
它以適合RoHS的SMD芯片封裝作為。