CHA3666-QAG是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該用電線路應用原則的pHEMT加工工藝手工制造:柵極厚度0.25μm,完成的基板的通孔,水汽橋和網上束柵流星刻。
它選取無鉛芯片封裝。
紅外光元集成電路芯片
CHA3666-QAG 放大器– LNA
頻射帶寬起步(GHZ): 5.8 - 17增益控制(dB):21增加收益同軸度(dB):0.5躁音公式(dB):1.8P-1dB模擬輸出(dBm):16定貨交貨時間:3-4周CHA3666-QAG是兩級自偏置寬帶單片低噪聲放大器。
該用電線路應用原則的pHEMT加工工藝手工制造:柵極厚度0.25μm,完成的基板的通孔,水汽橋和網上束柵流星刻。
它選取無鉛芯片封裝。