CHA7114-99F是專為X波段應用而設計的單片式兩級GaAs高功率放大器。
該的設備用到UMMS 0.25μm工率pHEMT制作工藝加工,具有順利通過基鋼板的通孔和室內空氣橋。
以便優化拼裝操作過程:
處理芯片的上面一并rf射頻和直流電壓接地保護
焊盤和后面均渡金,以與共晶集成ic粘接加工工藝和熱壓鍵合加工工藝兼容。
CHA7114-99F 調大器– HPArf射頻上行帶寬(GHZ): 8.5-11.5增加收益(dB): 20IP3(dBm):-P-1dB工作輸出(dBm):-輸出精度電機功率(dBm):39.8備貨交貨期:3-4周
CHA7114-99F是專為X波段應用而設計的單片式兩級GaAs高功率放大器。
該的設備用到UMMS 0.25μm工率pHEMT制作工藝加工,具有順利通過基鋼板的通孔和室內空氣橋。
以便優化拼裝操作過程:
處理芯片的上面一并rf射頻和直流電壓接地保護
焊盤和后面均渡金,以與共晶集成ic粘接加工工藝和熱壓鍵合加工工藝兼容。