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微波射頻元器件封裝
CHA3514-99F由一個二級行波放大器和一個四級數字衰減器組成。專為國防應用而設計。芯片的背面同時射頻和直流接地。這有助于簡化組裝過程。
該電源電路用pHEMT工藝設備生產研發，柵極時間為0.25μm，用柔性板的通孔，空氣質量橋和網絡束柵星空刻的技術生產研發。
它以IC芯片方法保證。
主要特征 ■能力：6-18GHz■19dBm過飽和導出工率■13 dB增加收益■39.5dB動態展示的范圍的4位衰減器■交流電功能消耗，190mA@4.5V■處理芯片尺寸規格：5.54 x 2.30 x 0.1mm