硅基氮化鎵寬帶晶體管,DC-6 GHz,5W,28V
NPTB00004A GaN HEMT是為DC-6 GHz操作而優化的寬帶晶體管。該器件專為CW,脈沖和線性操作而設計,采用工業標準表面貼裝SOIC塑料封裝,輸出功率水平高達5W(37 dBm)。在低于3GHz的頻率下,NPTB00004A替代了NPTB00004。
特征
- DC-6 GHz的帶寬加載
- NPTB00004的改用品變低
- 排水系統效應高(> 55%)
- 服務標準規范化可塑料設計
- 28V運作
應用領域
- 航空工程航空工程與中國軍事
- 聯通寬帶互通
- 國防科技無線通訊
- 注意
- VHF / UHF / L光波統計
- wifi手機基礎上體系