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微波加熱元元器
NPT2021 GaN硅HEMT D模放小器為DC-2.5ghz運營升級優化。該主設備扶持反復波、脈沖發生器和波形運營，傷害工作電壓水平面為45瓦，應用帶螺栓的標準固定不動法蘭片的工藝的標準材料包裝設計。
NPT2021尤其滿足民防通信技術、地面中移動有線電、航空公司網絡、有線基本條件配制、ISM用和VHF/UHF/L/S股票波段聲納。
運用SIGANTIC?生產工藝加工制造-硅技巧上的專有GaN。
共同點
?GaN-on-Si-HEMT D模縮放器
?不適采用曲線和飽和狀態技術應用
?可從DC-2.5 GHz調諧
?48 V進行操作
?2.5GHz時16.5dB增益控制
?2.5GHz時55%的漏極成功率
?100%微波射頻測評
?TO-272外包裝
?符合RoHS*和260°C流失兼容