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芯片衰減器

關鍵運作

IC芯片衰減器,更高的250瓦，更高的18 GHz，的標準衰減器在全部的氣溫下平等地大大減少RF公率，而氣溫可調基帶電子器件設汁為在中高溫下減短其衰減，以能提供警報調平軟件應該用必備的更優崩潰。條狀衰減器中用拖動器電源線路，吸收器，上/下換算器，相位配備陣列和面板開關軟件應該用。據必備的規模，也可以在配有薄或厚電阻值的BeO，氮化鋁或腐蝕鋁瓷器上研制基帶電子器件。

品牌：MACOM

設備具體詳細說明一下

集成ic衰減器

Model	Power (Watts)	Frequency (GHz)	Ceramic Substrate	Resistor Film	Wrap Options	Finish Option	Width (Inches)	Length (Inches)	Height (Inches)
1KNA250	250	1	AlN	Thin & Thick	G, Tabbed	N, T, H	0.375	0.375	0.040
	100	2.3	AlN	Thin & Thick	G, Tabbed	N, T, H	0.350	0.225	0.040
	150	1.9	AlN	Thin & Thick	G, Tabbed	N, T, H	0.375	0.250	0.040
2KNA250	250	2.3	AlN	Thin & Thick	G, Tabbed	N, T, H	0.500	0.500	0.040
3KNA100	100	3	AlN	Thin	G, Tabbed	N, T, H	0.375	0.250	0.040
	10	4	BeO	Thin	G	N, T, H	0.100	0.200	0.040
	100	0.5	BeO	Thin	G	N, T, H	0.500	0.500	0.40
	20	4	BeO	Thin	G	N, T, H	0.250	0.250	0.040
	50	1	BeO	Thin	G	N, T, H	0.375	0.375	0.040
	1.5	12.4	Alumina	Thin		N, T, H, G	0.125	0.150	0.010
	0.75	18	Alumina	Thin		N, T, H, G	0.060	0.075	0.010
	0.75	8	Alumina	Thin	F	N, T, H, G	0.060	0.075	0.010
	0.75	18	Alumina	Thin	Tabbed	G, T, H	0.060	0.075	0.040
	0.75	18	Alumina	Thin	W	N, T, H, G	0.060	0.075	0.010
	1.5	4	Alumina	Thin	F	N, T, H, G	0.125	0.150	0.010
	1.5	12.4	Alumina	Thin	Tabbed	G, T, H	0.125	0.150	0.040
	1.5	12.4	Alumina	Thin	W	N, T, H, G	0.125	0.150	0.010
	100	0.4	BeO	Thin	G	N, T, H	0.500	0.500	0.040

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