AM010WX-BI-R是一種種分立砷化鎵pHEMT,其柵極總總寬為1.0厘米。它是在一兩個瓷質雙包實操高至12千兆赫。BI系類用于唯一性的設計的瓷質封裝類型,用于添加式的安裝方式英文,包含彎曲成(BI-G)或直(BI)絕緣線。芯片封裝左下角的卡箍并且用在交流電接地線系統、微波射頻接地線系統和熱管道。此一些非常符合RoHS。
特色
高至12GHz的中頻操作流程
增益值=16 dB,P1dB=28.5dBm,Eff=53%@4GHz
從表面貼裝
合理導熱的下層
技術應用
無線wifi本機環路
驅使增加器
蜂窩wlan電
中繼器
C波長VSAT
雷達天線