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HMC6147ALC5A/HMC6147ALC5ATR小型MMIC I/Q下變頻器 ADI現貨

2018-07-03 10:33:00 HMC6147ALC5A也是款密集型GaAs MMIC I/Q下交流伺服，應用無引腳RoHS兼容型SMT封裝類型。 該元器展示13 dB小走勢改換收獲，具備25 dBc邊帶調控。 HMC6147ALC5A應用低低頻噪音擴大器來能夠I/Q混頻器，LO由X2倍頻器能夠。

HMC6789BLC5A/HMC6789BLC5ATR陶瓷無鉛芯片載體(LCC)封裝 ADI現貨

2018-07-03 10:27:08 HMC6789BLC5A不是款寬敞型GaAs MMIC I/Q下直流軟啟動器，用到適合RoHS條件的12引腳、瓷器無鉛心片平臺(LCC)封裝形式。該元器件封裝提高14 dB的小無線信號互轉增加收益和25 dBc的鏡像系統抑止能。HMC6789BLC5A用到低燥聲放縮器驅使I/Q混頻器，這里面LO由x2乘法器驅使

HMC1065LP4E/HMC1065LP4ETR鏡像抑制低噪聲變頻器 ADI現貨

2018-07-03 10:19:31 HMC1065LP4E就是款緊身型GaAs MMIC鏡象系統限制低噪音污染直流變頻空調器，所采用符合要求RoHS細則的無鉛SMT封口。 該電子元件展示13 dB的小數據信號改變增益值，17 dBc的鏡象系統限制和-2 dBm顯示IP3。 HMC1065LP4E通過RF LNA和由有源X2倍頻器win7驅動的I/Q混頻器工作任務。

HMC1113LP5E/HMC1113LP5ETR表貼封裝緊湊型下變頻器 ADI現貨

2018-07-03 10:16:58 HMC1113LP5E一款密集型GaAs MMIC I/Q下變頻器，利用無鉛5 x 5 mm低彎曲應力注塑機金屬表貼封裝類型。 該元件給出12 dB的小4g信號轉為增加收益、1.8 dB的燥音常數和25 dBc的映射調節安全性能。 HMC1113LP5E利用LNA，后接由LO緩存器縮放器驅動器的映射調節混頻器。

HMC951BLP4E/HMC951BLP4ETR小型 I/Q下變頻器 ADI現貨

2018-07-02 15:16:32 HMC951B不是款緊奏型型GaAs MMIC I/Q下變頻柜器，按照復合RoHS標準規定的無引腳SMT打包封裝。 該集成電路芯片在大部分頻段依據內展示 13 dB的小移動信號改換增益控制、2 dB的背景噪聲數值和24 dB的鏡像文件系統促使效果。 HMC951B按照LNA，后接由LO減慢器拖動器驅動下載的鏡像文件系統促使混頻器。

HMC8108LC5/HMC8108LC5TR緊湊型X頻段單芯片低噪聲轉換器 ADI現貨

2018-07-02 15:06:38 HMC8108是一個款寬敞型、X頻段、砷化鎵(GaAs)單處理器紅外光ibms三極管(MMIC)同相正交(I/Q)低的噪音更換器，選取適合RoHS標準規范的衛浴陶瓷無鉛處理器形式裝封。HMC8108將比率為9 GHz至10 GHz的微波射頻(RF)搜索4g數據信號更換為導出下60 MHz具代表性單端中頻(IF)4g數據信號。

HMC1056LP4BE/HMC1056LP4BETR無鉛SMT封裝混頻器 ADI現貨

2018-07-02 14:53:27 HMC1056LP4BE都是款緊促型I/Q MMIC混頻器，進行“無鉛”SMT封裝形式，能用作系統鏡像仰制混頻器或單向帶上去變頻式器。 該混頻器進行好幾個要求Hittite雙發展混頻器第一單元和兩個180度交織電子元器件，均進行GaAs Schottky穩壓管技藝研制。

HMC1063LP3E/HMC1063LP3ETR緊湊型I/Q MMIC混頻器 ADI現貨

2018-07-02 14:41:15 HMC1063LP3E都是款緊湊suv型I/Q MMIC混頻器，應用“無鉛”SMT封裝，可以使用作鏡像軟件調控混頻器或一側加上伺服控制器器。 該混頻器應用兩大準則Hittite雙平衡量混頻器單位和有一個直角結合元件，均應用GaAs Schottky電子元器件大家庭中的一員-二極管工藝流程手工制造。

Qorvo推出QPM2637/QPM1002用于雷達應用的超緊湊X波段FEM Qorvo現貨代理商

2018-07-02 14:30:32 Qorvo新的FEMs - QPM2637和QPM1002 - 制定在Qorvo的氮化鎵工藝基礎性下，該工藝可保持較高的錯誤率，穩定可信度，電機電功率和可極限生存性，并可可以長度，載重量和的成本。每FEM將關鍵所在的T / R基本功能模塊基本功能模塊化到一種緊促的封裝形式中：T / R觸點開關，電機電功率變大器和低噪音分貝變大器（LNA）。

HMC520ALC4/HMC520ALC4TR單芯片同相正交(I/Q)混頻器 ADI現貨

2018-07-02 11:55:30 HMC520A是一種款砷化鎵(GaAs)單集成化電源線路處理芯片徽波集成化電源線路(MMIC)、同相正交(I/Q)混頻器，選擇具有RoHS細則的24引腳、陶瓷制品無鉛集成化電源線路處理芯片質粒載體(LCC)封裝。該元器件適用作鏡像軟件抑止混頻器或一側帶電池調頻器。

HMC8191LC4/HMC8191LC4TR無源混頻器芯片 ADI現貨代理商

2018-07-02 11:48:52 HMC8191就是一款無源聯通寬帶I/Q單智能家居控制線路芯片微波通信智能家居控制線路(MMIC)混頻器，能用作發送到器系統鏡像限制混頻器或釋放出器一側帶入交流伺服電機。HMC8191兼具6 GHz至26.5 GHz的微波射頻(RF)和本振(LO)時間依據及其DC至5 GHz的中頻(IF)服務器帶寬，特別適當必須 寬工作頻率時間依據

HMC524ALC3B/HMC524ALC3BTR緊湊型GaAs MMIC I/Q混頻器 ADI現貨

2018-07-02 11:41:18 HMC524ALC3B有的是款密集型GaAs MMIC I/Q混頻器，用到符合標準化規范RoHS標準化規范的無引腳SMT陶瓷圖片封口。 該集成電路芯片可以作鏡像系統克制混頻器或單向加上調頻器。 該混頻器用到兩個人標準化規范雙平橫混頻器單元式和一款 70度相溶集成電路芯片，均用到GaAs MESFET加工過程生產。

HMC498LC4/HMC498LC4TR高動態范圍功率放大器 ADI現貨

2018-06-29 13:47:59 HMC498LC4就是一款高動態性規模之內GaAs PHEMT MMIC中高最大電率增加器，進行無引腳“無鉛”SMT封裝。 該增加器有17至24 GHz的操作規模之內，作為22 dB增益控制、+26 dBm飽和狀態最大電率和23% PAE（+5V交流電源額定電壓）。

HMC383LC4/HMC383LC4TR通用MMIC驅動放大器 ADI現貨代理商

2018-06-29 13:42:06 HMC383LC4也是款統一GaAs PHEMT MMICwin7驅動調大器，進行按照RoHS要求的無引腳SMT打包封裝。 該調大器進行+5V單電原，增加收益為15 dB，飽和工作上效率為+18 dBm。 在另一工作上頻寬內有相一致的增加收益和轉換工作上效率

HMC633LC4/HMC633LC4TR驅動放大器頻率5.5至17 GHz ADI現貨

2018-06-29 11:41:51 HMC633LC4就是一款GaAs PHEMT MMIC驅程變大器，應用無鉛4x4 mm表貼陶瓷制品封口，運轉平率時間范圍為5.5至17 GHz。 該變大器供應高至30 dB的增益值、+30 dBm效果IP3及+23 dBm的效果電機功率

HMC634LC4/HMC634LC4TR驅動放大器陶瓷表貼封裝 ADI現貨

2018-06-29 11:34:17 HMC634LC4就是款GaAs PHEMT MMIC驅使變大器，選取無鉛4x4 mm淘瓷表貼芯片封裝，工作的規律范疇為5至20 GHz。 該變大器提高自由高達21 dB的增加收益控制、+29 dBm輸入IP3及+22 dBm的輸入工率（1 dB增加收益控制縮小時），耗電為180 mA（+5V交流電源）。

HMC498/HMC498-SX功率放大器頻率范圍為17至24 GHz ADI現貨

2018-06-29 11:21:07 HMC498也是款高動態性領域GaAs PHEMT MMIC熱效率調小器，操作速率領域為17至24 GHz。 HMC498給予24 dB增加收益，飽和點熱效率為+27 dBm，主機電源直流電壓為+5V (25% PAE)。 因尺寸較小，HMC498調小器可輕松自由一體化到多基帶芯片控制模塊(MCM)中。

HMC-APH596/HMC-APH596-SX兩級GaAs HEMT MMIC中等功率放大器 ADI現貨

2018-06-29 11:18:34 HMC-APH596是一個款有級GaAs HEMT MMIC一般事情效率調小器，事情幾率範圍為16至33 GHz。 HMC-APH596提供了17 dB增加收益，選取+5V24v電源額定電壓時具備+24 dBm輸入輸出事情效率（1 dB擠壓）。

RFGA2012低功耗線性放大器 Qorvo現貨代理商

2018-06-28 17:16:12 Qorvo的RFGA2012專程設定主要用于以是較為小的的瞬時電流瓦數達到高OIP3。超線型效果已在150MHz至3GHz的標準頻段中取得材料。RFGA2012享有VBIAS引腳，不可以觀眾對於某些標準調整靜止瞬時電流。VBIAS引腳也常用作掉電引腳。

RFGA0024高性能InGaP HBT MMIC放大器 Qorvo現貨

2018-06-28 17:03:26 Qorvo的RFGA0024也是款高特點InGaP HBT MMIC圖像運放電線。RFGA0024的里面的有源偏置電線不可以圖像運放電線就直接從5V電原工做，并出具維持的電流值隨環境溫度變換并罰理Beta變換。這輛達林頓圖像運放電線的里面的適應阻值為50歐姆，是適必須小的尺寸和少則對外部零件的應用。

RFGA0014低成本寬帶增益MMIC放大器 Qorvo現貨代理商

2018-06-28 16:46:56 Qorvo的RFGA0014就是款高性InGaP HBT MMIC變成器。RFGA0014的里面的有源偏置三極管限制變成器會直接從5V開關電源事情，并提供了安全的電流量隨溫濕度變化并罰理Beta變化。這個達林頓變成器的里面的篩選阻值為50歐姆，愈來愈滿足想要小厚度和最好是外部結構開關元件的廣泛應用。

RF5633驅動器級線性功率放大器IC 5 V線性功率放大器 Qorvo現貨

2018-06-28 16:39:52 Qorvo的RF5633是專為之后或驅動器級選用開發的曲線工作效率縮放器IC。該配件采用了有帶側面接地保護的無引線集成ic媒體。RF5633開發使用在在多方面的室溫和工作效率輸出比率內長期保持曲線。外觀相匹配為數個頻段的輸出工作效率作為可調節為性。

RF5623中等線性功率放大器IC Qorvo現貨

2018-06-28 16:29:31 Qorvo的RF5623是專為中上電電率廣泛應用開發的線性網絡電電率拖動器IC。該元器件選用領先的InGaP異質結雙極氯化鈉晶體管（HBT）工序造成，開發做為802.16e試射器的最后頻射拖動器。

RF3827高線性度的RF放大器IC 線性通用放大器Qorvo現貨

2018-06-28 16:21:13 Qorvo的RF3827是款通用的，低利潤，高規則化度的RF變大器IC。該元器選擇砷化鎵工藝流程產生，選擇3mm x 3mm，16引腳QFN封口。它更加最適合重復使用規則化/低噪音變大器，在其中OIP3=38dBm，噪音指數公式值為1.5dB。

RF3315高效率放大器 200 - 2200 MHz寬帶高線性度放大器 Qorvo現貨熱銷

2018-06-28 16:06:31 Qorvo的RF3315一款提高效應率砷化鎵異質結雙極晶狀體管（HBT）變小器，使用低投資成本界面貼裝裝封。該變小器至關不適廣泛用于需200MHz至3GHz幾率時間范圍內的高非線性度和工作噪音小污染公式的使用。

RF3223表面貼裝封裝500 - 2000 MHz低噪聲，高線性驅動放大器 Qorvo現貨

2018-06-28 16:03:29 Qorvo的RF3223都是款所選擇成本更低投入外壁貼裝封裝類型類型的優質GaAs異質結雙極結晶體管（HBT）拖動器。該拖動器極為支持于需用500MHz至3GHz概率范疇內的高平滑度和低噪音污染指數公式的應該用。RF3223所選擇單5V主機電源共電，所選擇經濟實惠的3mm x 3mm QFN封裝類型類型。

RF3220高效率砷化鎵異質結雙極晶體管（HBT）驅動放大器 Qorvo現貨熱銷

2018-06-28 15:38:32 Qorvo的RF3220是款高效能率砷化鎵異質結雙極多晶體管（HBT）調小器，通過低生產成本外表貼裝封口。該調小器尤其選擇在需求500MHz至3GHz頻點使用范圍內的高線形度和低噪音分貝彈性系數的應用軟件。RF3220通過單5V開關電源供電系統，通過生活的3mm x 3mm QFN封口。

RF2162高功率高效率線性放大器IC Qorvo 3 V線性放大器現貨代理商

2018-06-28 15:23:18 Qorvo的RF2162是對于3V便攜式系統化的高耗油率有工作效率平滑放小器IC。該元器件封裝所采用好的砷化鎵異質結雙極晶狀體管（HBT）的工藝生產加工，開發重復使用雙形式 3V CDMA / AMPS便攜式阿拉伯數字蜂窩機械設備擴頻系統化和其它軟件應用中的之后RF放小器。 800MHz至960MHz頻段。

QPM1000集成式限幅器/ LNA高性能低噪聲放大器 Qorvo現貨出售

2018-06-28 15:20:09 Qorvo QPM1000是一個款結合式限幅器/ LNA，可在2-20GHz幀率使用范圍內內給予了穩盈，高能力。QPM1000在增加收益操縱下給予了17 dB的小走勢增加收益，在整幀率使用范圍內內包括1.7 - 4 dB的環境噪聲指數公式，> 18 dBm P1dB。凡此種種，結合限幅器給予了到達4 W的入射效率的穩盈性的水平，而不是有效降低能力。

美國AMCOM 微波設計制造公司 AMCOM代理商

2018-06-28 14:57:18 AMCOM大公司設立于1997年13月，由一大群在徽波加熱射頻電路板制定和徽波加熱射頻電子元件加工制造水平方位技術非常豐富的徽波加熱射頻制定師結構。它設在加拿大馬里銀川蓋瑟斯堡，距華盛頓華北約20英里。該大公司看做領先于的徽波加熱射頻制定結構享受盛譽，該結構屬于熱效率FET，MMIC熱效率圖像電壓變成器并且帶RF和DC對接器的高熱效率圖像電壓變成器模快，他們模快已工作好用呢于徽波加熱射頻系統軟件。