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?第三方代650 V裸片SiC MOSFET

發布消息準確時間:2025-01-03 16:57:39     挑選:630

行業界超過硬導通電阻器和觸點開關衰減,是可以實現了更好機械性能和電率溶解度參數指標。

Wolfspeed依照第一代650 V SiC MOSFET增長了其無定形碳硅(SiC)水平上的為主影響。在更逐步的電業系統軟件中提供身型更小、含水量更輕、更大效的電業被轉化。650 V SiC MOSFET是耐磨性專業技能工農業主機電源、服務于器/電信網微信網絡24v電源、新綠色能源電動車(EV)充電器系統設計、全釩液流電池的設備、應激電原(UPS)和手機電池的管理等功能模塊的最好的確定。

表現

高濕周圍環境的低導通電容

低內寄生電解電容

滿足越來越低返向復原的便捷場效應管

不斷地高溫環境操作(Tj=175°C)

MOSFET.png

優越性

可以通過設定電開關和傳送損耗費增強機器利用率

控制高旋轉開關速度遠程操作

挺高設計級工率比熱容因素

大幅度降低裝備外形尺寸;體積;和一系列冷卻標準

明顯軟件

實業24v電源

提供主機/就是聯通網洛

能源系統沖電樁配置

存儲設備(ESS)

作為應急的主機電源(UPS)

微型蓄電池管理方法軟件系統(BMS)

CREE科銳于2017年分離法出紅外光頻射品牌形象Wolfspeed,以帶寬、大工率變成器貨品為上海特色。

西安市立維創展社會是CREE的生產商商,開發CREE微波射頻元器件封裝強勢供貨期黑平臺,信用貸款保障原裝進口產品。

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Product SKU

Blocking Voltage

RDS(ON) at 25°C

Current Rating

Gate Charge Total

Output Capacitance

Reverse Recovery Charge (Qrr)

Reverse Recovery Time (Trr)

Tjmax

Generation

CPM3-0650-0015A

650 V

15 mΩ

120 A

190 nC

290 pF

510 nC

22 ns

175 °C

Gen 3

CPM3-0650-0045A

650 V

45 mΩ

49 A

63 nC

100 pF

247 nC

13 ns

175 °C

Gen 3

CPM3-0650-0060A

650 V

60 mΩ

37 A

46 nC

80 pF

151 nC

11 ns

175 °C

Gen 3


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