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900 V分立氧化硅MOSFET CREE

發表時段：2024-12-17 11:21:28     預覽：672

CREE擴容了其在無定形碳硅（SiC）枝術中的制約話語權，低電感分立封裝形式具備寬沿面和漏極與源極直接的裂縫高度（~8mm）。900 V分立炭化硅MOSFET協調性用到公布的MOSFET處理芯片中頻效能，并給出應用領域于高氛圍污染氛圍的差額電氣設備底部隔離。單獨的的開爾文源管腳減小了工作效率電感；為了旋鈕耗損率減小了30%。設計方案師能否依托于從硅基轉彎硅基來減小元器件數據；需要進行曾加旋鈕耐腐蝕性，能否需要進行三電平拓撲關系結構裝轉變成高效的兩電平拓撲關系結構。

功能

在大體做工作溫濕度超范圍內，至少電壓降是900V Vbr

帶驅動軟件源的低特性阻抗封裝

高恰恰能阻隔電壓值，低RDS（切換）

低單向恢復正常（Qrr）的高質量本征整流二極管

有助于于并接，施用方便

MOSFET.png

主要優勢

可以通過縮短電開關和分享耗費提高自己系統性使用率

變現高控制開關速率操縱

提高自己設計級瓦數黏度

調低操作系統范圍；毛重；和放置冷卻要

通電新的硬按鈕開關拓撲結構（Totem Pole PFC）

典例軟件

無刷電機掌控設備

新清潔能源e充電站系統

作為應急的主機電源（UPS）

干電池測試軟件系統軟件

新生物質能源直流電高鐵全速手機充電體系

車載多媒體快充器

鏈傳動儀器

錫焊生產技術

東莞 市立維創展科枝有限的大公司授權使用經銷商CREE紅外光電子元件，倘若必須要 購CREE廠品，請超鏈接右邊網上客服認識我！！！

 
Product SKUBlocking VoltageRDS(ON) at 25°CCurrent RatingTjmaxPackage
C3M0065090D900 V65 mΩ36 A150 °CTO-247-3
C3M0120090D900 V120 mΩ23 A150 °CTO-247-3
C3M0280090D900 V280 mΩ11.5 A150 °CTO-247-3
C3M0030090K900 V30 mΩ63 A150 °CTO-247-4
C3M0065090J900 V65 mΩ35 A150 °CTO-263-7
C3M0120090J900 V120 mΩ22 A150 °CTO-263-7
C3M0280090J900 V280 mΩ11.5 A150 °CTO-263-7


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