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頒布時長：2024-12-02 17:14:36 瀏覽訪問：679

CMPA0060002D都是種中有氮化鎵（GaN）高電子器件移動率晶胞管（HEMT）的單面紅外光集合用電線路（MMIC）。與硅或砷化鎵差距較，GaN兼備更好市場大的的的性能，包括更為重要的穿透場強、更為重要的供大于求網絡漂移極限速度更為重要的導電標準值。與Si和GaAs納米線管優于較，GaN HEMT還供應更高些的耗油率規格和更寬的帶寬使用。CMPA0060002D用到分散式（導波）調大器制作構思，并能在更小的損壞戶型面積內確保極寬的帶寬起步。