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GTRB246608FC-V1是CREE的一個500瓦（P4dB）的SiC上GaN高光電變遷率單晶體管（HEMT），專注于于多標準化蜂窩狀熱效率變大器采用意愿設計的。GTRB246608FC-V1具有高效能率和無軸環的熱加強封裝。

商品規格

詮釋：高輸出RF GaN SiC HEMT 500 W，48 V，2300-2400 MHz

非常高頻繁（MHz）：2400

增加收益（dB）：15.7

封裝形式分類：Earless

特征英文

非常典型脈沖發生器CW穩定性，2400 MHz，48 V，10μs脈沖信號的頻率，10%占空比，結構打印輸出

P4dB=600 W時的輸入功效

P4dB=60%時的使用率

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