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GTRB226002FC-V1 S頻譜高最大功率RF GaN

頒布時:2024-11-12 17:06:41     查詢:611

GTRB226002FC-V1是CREE是款450瓦(P3dB)的SiC上GaN高網上轉入率結晶管(HEMT),app在多基準蜂窩狀熱效率變小器技術水平app。GTRB226002FC-V1符合便捷化和無軸環的熱減弱裝封模式。

GTRB226002FC-V1.png

產品的尺寸

闡釋:SiC HEMT上的高效率RF GaN 450 W,48 V,2110-2200 MHz

保底頻段(MHz):2110

最大幾率(MHz):2200

P3dB的輸出工率(W):450

增益控制值(dB):15

的效率(%):60

癥狀

具代表性的激光脈沖CW耐腐蝕性:10μs輸入脈沖參數,10%pwm占空比,2200 MHz,48 V,Doherty治具工作效率=65%

增益控制值=14dB

P3dB=450W時的輸入輸出工作電壓

男模建模1B級(會根據ANSI/ESDA/JEDEC JS-001)

低導熱系數

無鉛并需要滿足RoHS標準規范

GaN基SiC HEMT技術水平

河南市立維創展科持有局限司商標授權代理商CREE微波加熱元器,要是應該購CREE新產品,請彈窗左下客戶服務中心找公司!!!

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