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?GTRB204402FC Lk線高額定功率RF GaN

上架用時:2024-11-06 17:13:24     查詢:651

GTRB204402FC/1是CREE的款350瓦(P3dB)的SiC上GaN高電商轉遷率結晶體管(HEMT),秉承于多標淮蜂窩狀工率放縮器能力軟件使用需求定制。GTRB204402FC應有有的效率和無軸環的熱開展封裝形式。

GTRB204402FC.png

貨品技術參數

闡明:SiC HEMT上的高馬力RF GaN 350 W,48 V,1930-2020 MHz

低些平率(MHz):1930

最多幀率(MHz):2020

P3dB輸入電功率(W):350

收獲值(dB):16.3

有能力(%):58

功率電壓降(V):48

芯片封裝分類:Earless

芯片裝封:芯片裝封分立尖晶石管

高技術:SiC上的GaN

特征英文

其最典型的的脈寬CW特點,2020 MHz,48 V,10μs脈沖造成的屏幕寬度匹配,10%pwm占空比,組合式輸入

P3dB=350W時的效果輸出

P3dB時的更高效果=65%

男模模式1C級(利用ANSI/ESDA/JEDEC JS-001)

無鉛并夠滿足RoHS規范標準

河南市立維創展科技發展有現集團公司授權使用經售CREE微波加熱元件,倘若應該購CREE設備,請雙擊右下克服溝通.我!!!

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