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上架用時:2024-11-06 17:13:24 查詢:651
GTRB204402FC/1是CREE的款350瓦(P3dB)的SiC上GaN高電商轉遷率結晶體管(HEMT),秉承于多標淮蜂窩狀工率放縮器能力軟件使用需求定制。GTRB204402FC應有有的效率和無軸環的熱開展封裝形式。

貨品技術參數
闡明:SiC HEMT上的高馬力RF GaN 350 W,48 V,1930-2020 MHz
低些平率(MHz):1930
最多幀率(MHz):2020
P3dB輸入電功率(W):350
收獲值(dB):16.3
有能力(%):58
功率電壓降(V):48
芯片封裝分類:Earless
芯片裝封:芯片裝封分立尖晶石管
高技術:SiC上的GaN
特征英文
其最典型的的脈寬CW特點,2020 MHz,48 V,10μs脈沖造成的屏幕寬度匹配,10%pwm占空比,組合式輸入
P3dB=350W時的效果輸出
P3dB時的更高效果=65%
男模模式1C級(利用ANSI/ESDA/JEDEC JS-001)
無鉛并夠滿足RoHS規范標準
河南市立維創展科技發展有現集團公司授權使用經售CREE微波加熱元件,倘若應該購CREE設備,請雙擊右下克服溝通.我!!!