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?PXAE263708NB-V1 S中波段大輸出功率微波射頻LDMOS場現象多晶體管

頒布準確時間:2024-11-04 16:57:13     網頁瀏覽:668

PXAE263708NB-V1是CREE的四款400瓦(P3dB)LDMOS FET,軟件應用于2620至2690 MHz頻段的多規定蜂窩狀電機功率增加器新技術軟件。構成搜索內容輸出更換;高增益控制各類具備無突緣的熱提高芯片封裝狀態。PXAE263708NB-V1運用獨一無二的LDMOS方法技術工藝;PXAE263708NB-V1有優質的熱安全管理穩明確和高品質的安全管理性能方面。

PXAE263708NB-V1.png

的產品樣式

表述:高工作電壓RFLDMOS FET400W(P3dB);28v;2620-2690MHz

比較低率(MHz):2620

最大頻段(MHz):2690

P3dB模擬輸出功效(W):400

增加收益(dB):13.5

質量(%):47

額定值輸出功率(V):28

打包封裝門類:pp塑料

芯片封裝類型:芯片封裝類型內容分立硫化鋅管

技術工藝:LDMOS

特點

移動寬帶實物輸進讀取適用

非對稱性性Doherty來設計:主P1dB=140W主要表現值;很高值P1dB=260 W先進典型值

典型示范的輸入脈沖CW特質;2655MHz;28v;多爾蒂構型;AB類:P1dB=200W時的傷害瓦數;P3dB=400W時的傳輸公率;速度=49%(POUT=57 W標準差);增益值=15 dB(POUT=57 W平均值)

還可以治理 32 V時10:1的VSWR;100 W(CW)輸出精度輸出

集成系統化ESD保護措施

無鉛并滿足了RoHS標淮

珠海市市立維創展科技產業有限集團英文集團代理權代理商CREE微波通信元件,如果必須 購CREE成品,請點右邊客戶結合人們!!!

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