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GTRA262802FC是CREE的250瓦（P3dB）GaN on SiC 高額定功率RF GaN放縮器，使用于多細則蜂窩狀輸出功率放縮器技木使用。GTRA262802FC遵循插入適用、快速率和無軸環熱強化打包封裝的形態。

規格型號技術參數

講述：SiC HEMT的高電機功率RF GaN 250 W；48v；2490-2690MHz

最底工作頻率（MHz）：2490

高幀率（MHz）：2690

P3dB內容輸出電率（W）：250

增益控制值（dB）：14

學習效率（%）：54

特殊電流（V）：48

封口類：Earless

二極管芯片封裝：二極管芯片封裝分立晶狀體管

技術水平app：SiC的GaN

表現形式

?GaN-on-SiC HEMT技巧適用

?發送配適

?典范的電脈沖CW特性，2605 MHz，48 V，搭配組合所在，16μs激光脈沖橫向，10%pwm占空比

-P3dB=250W時的輸送輸出

-生產率=62%

-收獲值=14.4 dB

?同時在48 V、38 W（CW）輸出電壓瓦數下運營10:1 VSWR

?嫩模模式1A級（只能根據ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

?低熱擴散系數

?無鉛并提供RoHS標準化

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