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CREE的GTVA261802FC-V1是款170w的GaN-on-SiC HEMT D機制擴大器，不適廣泛用于多基準蜂窩狀電功率擴大器技術工藝應用軟件。GTVA261802FC-V1有進入兼容性測試、使用率率和無軸環熱不斷增強打包封裝的形態。

產品的規格

舉例說明：SiC HEMT上的高耗油率RF GaN 170 W，48 V，2620-2690 MHz

至少規律（MHz）：2620

最大化的規律（MHz）：2690

P3dB的輸出工作電壓（W）：170

增益值值（dB）：16.8

高效益率（%）：43

額定負載電壓降（V）：48

封裝形式品目：Earless

打包芯片封裝：打包芯片封裝分立尖晶石管

技術應用：SiC上的GaN

的特征

?GaN-on-SiC HEMT能力

?導入兼容

?典型案例的脈沖信號CW耐腐蝕性，三人組合輸出電壓，

2690 MHz，48 V，10μs脈沖造成的長寬比，10%pwm占空比

-P3dB=170W時的輸出電壓耗油率

-P3dB時的漏極低的效率=65.5%

-P3dB=15dB時的收獲值

?要能進行48 V、180 W（CW）傷害電率下10:1的VSWR

?男模建模 1A級（給出ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）

?低傳熱常數

?無鉛并考慮RoHS標淮

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