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GaN寬帶晶體管模具
MATR-GSHC03-160150 GaN HEMT是種網絡帶寬晶狀體管IC芯片，針對于DC-3.5 GHz運作來進行了改進。該集成電路芯片的支持CW，脈沖造成的和線型運作，效果熱效率為45 W（46.5 dBm）。MATR-GSHC03-160150是非常適用人群于國防軍事通信網絡，大陸架手機移動電，民航電子技術設備機器設備，移動地基服務設施，ISM運用和VHF / UHF / L / S波長汽車雷達。采取SIGANTIC®工藝設計創造 - 有一種專有的GaN-on-Silicon技術設備。

品牌	型號	貨期	庫存
MACOM	MATR-GSHC03-160150	1周	120

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特征
 Si HEMT D模式晶體管裸片上的GaN
 2.5 GHz時54％的漏極效率
 12 dB增益@ 2.5 GHz
 28 V操作
 寬帶操作DC - 3.5 GHz
 適用于線性和飽和應用
 活動區周邊：16毫米
 100％DC測試
 符合RoHS *標準
 芯片尺寸：0.60 mm x 4.49 mm x 0.1 mm
 出口分類：EAR99

應用
 航空電子學
 國防通訊
 ISM應用程序
 VHF / UHF / L / S波段雷達
 無線基礎設施

產品規格
測試頻率：2.5 GHz
增益：12 dB
電源電壓：28 V.
PSAT：45瓦

MACOM是世界各國主要全家人適用于頻射用的GaN on Si技藝性出售商。當他們在Si RF業務耗油率尖晶石管好的護膚品上保證范圍廣的間斷波（CW）GaN，做為分立電子器材元器件和功能模塊，設計業務在DC至6 GHz。當他們的高業務耗油率CW和非線性尖晶石管是商用空航電子器材主設備，通訊技藝，網，長單脈沖汽車雷達甚至工業制造，科學研究和醫疔用的理想型的選擇。當他們的好的茶葉組合套餐成巧用了MACOM以上60年的過去，即便 用GaN on Si技藝性保證基準和制定改善計劃書，以需要滿足客服最不近人情的業務需求。當他們的GaN on Silicon好的護膚品，用分立尖晶石管和集成系統調大器，用0.5微米換算HEMT技藝，在業務耗油率，增益值值，增益值值溝壑度，使用率角度的表現出非常好的的RF耐磨性，