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CREE CMPA2935250S 是一款基于氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的單片微波集成電路(MMIC)功率放大器,適用于工作頻率在3.1 GHz到3.7 GHz的應用。GaN 相比硅或砷化鎵具有更高的擊穿電壓、更高的飽和電子漂移速度以及更高的熱導率,從而提供了更高的功率密度和更寬的帶寬。該 MMIC 采用兩級反應匹配放大器設計,能夠在8 mm x 8 mm表面安裝封裝(QFN封裝)中實現高功率和高功率附加效率。
特點:
>60%典范熱有效率扣除有效率 28dB小4g信號增益控制 250W舉例P_SAT 可高至50V本職工作 高擊穿端電壓端電壓 溫度運作應用:
民用型和軍用裝備脈沖信號雷達天線變成器性能參數:
參數 | 3.1 GHz | 3.3 GHz | 3.5 GHz | 單位 |
Small Signal Gain | 28.7 | 28.8 | 27.5 | dB |
Output Power | 54.2 | 54.6 | 54.4 | dBm |
Power Gain | 24.2 | 24.6 | 24.4 | dB |
Power Added Efficiency | 61 | 63 | 59 | % |