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　　QPD0030是Qorvo公司生產的一款高性能GaN射頻功率晶體管，它采用了SiC HEMT(碳化硅高電子遷移率晶體管)技術。這款晶體管在48V電源軌上工作，頻率范圍從直流(DC)至5GHz，輸出功率在P3dB點達到45W，非常適合用于基站、雷達和通信系統等應用。

　　QPD0030的主要的特質包含：　　- 頻帶寬度區間：DC至5GHz　　- 模擬傳輸公率(P3dB)：在2.2GHz聲音頻率下，模擬傳輸公率達到49W。　　- 平滑增益值值：在2.2GHz速度下，關鍵增益值值為22.3dB。　　- 一般PAE3dB：在2.2GHz頻繁 下，高效率高達hg71.5%。　　- 做工作電流電壓：48V。　　- 低熱導率封裝形式：在高馬力工作的時高效熱量散發，提高元器的平衡性和人類壽命。　　- 幫助維持波(CW)和智能任務模式切換　　QPD0030能夠 應運于Doherty構架中，相當是和看做小形蜂窩、微蜂窩和有源同軸電纜平臺的通信基站設備工作效率增加器的接下來級，也能夠 充當微蜂窩通信基站設備工作效率增加器的安裝伺服控制器。該元件所采用了服務業基準的4x3mm接觸面貼裝QFN封裝類型，于整合到總數的微波射頻平臺來設計中。

成都 市立維創展信息技術有著相對穩定的供貨流通渠道流通渠道，強勢打造Qorvo工業陶瓷二極管封裝IC和裸基帶芯片品牌，并巨大常備現貨黃金庫存盤點，認可顧問。