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UMS紅外光CHK5010-99F是一款革命性的4W氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaNHEMT)，可為各種射頻功率應用提供多功能寬帶解決方案。該產品在SiC襯底上采用GaNHEMT技術制造，確保了優異的性能和可靠性。

單晶體管以裸晶片表現形式保證，是需要內部配備電路原理才可有力發揮作用其發展價值。殊不知，恰恰是這款方案特性賦于了CHK5010-99F高的效果和普遍的廣泛應用發展價值。注意優缺點都具有其好品質的寬帶網力量，會支持到達12 GHz的單脈沖和間斷性波操作流程。依托于GaN技術水平，該設計的可達到高內容輸出和高PAEDC偏置，在Vo=30V @lp_o=50mA時達到最適宜能。不僅如此，該基帶芯片都具有0.90x0.80x0.1mm的緊湊型轎車長寬比，即便是在限制的區域中也會輕松愉快模塊化。不但其睿智的耐腐蝕性，CHK5010-99F還適用RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006標準的，提高認識低能耗和穩定。這讓朋友在選定和施用類產品時心安，而從不焦慮對周圍環境的阻礙應響。顯然，CHK5010-99F不是款比較適合信任感的高性GaN結晶體管，具密切的使用和出彩的特點。其真讓人之春最深的性和符合標準規范企業標準規范使其形成rf射頻工作功率使用的信得過決定，為該領域走上了新的概率性。

Symbol	Parameter	Min	Typ	Max	Unit
Gss	Small Signal Gain		21.6		dB
PsAT	Saturated Output Power		36		dBm
PAE	Max Power Added Efficiency		72		dB
GPAE_MAX	Associated Gain at Max PAE		14		dB

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