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發部時刻:2018-09-03 14:48:30 瀏覽器:2216
CMD226N3都是款網絡帶寬MMIC GaAs x2無源倍頻器,用于陶瓷制品QFN芯片封裝。當由+15 dBm數據信號安裝驅動時,乘法器在18 GHz的打出頻點下作為10.5 dB的變為材料耗費。Fo和3Fo防護隔離度分開 為44 dBc和46 dBc。CMD226N3通過50歐姆適合方案,不可RF端口號適合。
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Custom mmic
CMD226N3
3-4周
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CUSTOM MMIC專業利用GaAs MMIC技術開發RF /微波有源和無源倍頻器,提供無源倍頻器或有源倍頻器,采用50歐姆匹配設計 - 無需外部DC模塊和RF端口匹配。這些寬帶MMIC乘法器IC在無源器件的4 GHz至15 GHz(C,X,Ku波段)輸入頻段和有源器件的12 GHz至20 GHz(Ku,K波段)范圍內提供高性能。這些乘法器MMIC提供高達17 dBm的高輸出功率,并且在小裸片尺寸下具有出色的Fo和3Fo隔離。用于尋找高隔離度的射頻/微波電路設計器的有源和無源倍頻器MMIC。
特征描述
因素
主要
有些說明書怎么寫
主動速率 凈增
搜索頻次 (千兆赫)
7 - 11
導出率 (千兆赫)
14 - 22
輸人瓦數(dBm)
15
工作輸出功效(dBm)
五
Fo要進行隔離(dB)
44
3 Fo底部隔離(dB)
46
包
3x3亳米