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CMPA1C1D060D是款氧化硅單晶硅上不同氮化鎵 (GaN) 高電子器材遷出率多晶體管 (HEMT) 的單面微波射頻集成式電線 (MMIC)；CMPA1C1D060D軟件0.25 μm柵極圖片尺寸制作方法工藝流程。與硅相比較較，GaN-on-SiC擁有會更加非常好的的耐磨性；砷化鎵或硅基氮化鎵；涉及到極高的電壓擊穿場強；極高的過飽和手機漂移熱效率和極高的導電數值。

表現

符合 26 dB 小網絡信號增益值值

60 W 類型 PSAT

穩定直流電壓高至 40 V

高熱擊穿場強

耐高溫度控制

應運業務領域

PTP 無限通信網絡

小行星移動通訊上下行鏈

物品外形尺寸

敘說：60瓦；12.7 至 13.25 GHz；40V；GaN MMIC 電功率增加器

最小概率(MHz)：12700

更高速率(MHz)：13250

最快值輸入公率(W)：65

收獲值(dB)：26.0

錯誤率（％）：30

額定相電壓(V)：40

模式，：MMIC 裸片

打包封裝品類：Die

技藝應用軟件：GaN-on-SiC