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CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產品相比，這些GaN內部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵相比較，GaN具有更加優異的性能；包含更高的擊穿場強；更高的飽和電子漂移效率和更高的導熱系數。與GaAs晶體管相比較，GaN HEMT還推出更高的功率密度和更寬的帶寬。CGHV96050F1使用金屬/陶瓷法蘭盤封裝形式，能夠實現最好電力設備和熱穩定性。

特征英文

7.9–8.4GHz的工作

80WPOUT（典范值）

>13dB耗油率增益值值

33%基本特征平滑PAE

50Ω組織結構答配

<0.1dB公率降低

采用方向

通迅衛星通迅

房屋地面帶寬

好產品規格型號

說明：50瓦；7.9-9.6GHz；50Ω；讀取/傳輸配上GaNHEMT

最低標準頻率(MHz)：7900

最高的人頻繁(MHz)：8400

最低值傳輸工作電壓(W)：50

收獲值(dB)：13.0

速度（％）：33

額定的電阻值(V)：40

類型：封裝類型分立晶胞管

二極管封裝內容行業類型：法蘭片盤

技木APP：GaN-on-SiC