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CGHV50200F是種針對性方案用在高效化氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）；高增益和寬帶寬性能；從而使得CGHV50200F成為了對流層光學散射通訊的最佳選擇；4.4-5.0GHzC頻率段衛星通訊應用與超低空。CGHV50200F選用陶瓷/金屬法蘭封裝形式。

優點

4.4–5.0GHz工作中

180W普通PSAT

11.5dB比較常見公率收獲值

48%常有供電能力

50Ω的內部自適應

應用范疇

通信網絡衛星通信網絡

勝過視眼——BLOS

形成對流層磁學散射通信

的產品技術參數

描素：200瓦；4400-5000MHz；50Ω設置/所在兼容；氮化鎵高網上變遷率氯化鈉晶體管

最高概率(MHz)：4400

上限頻段(MHz)：5000

最快值打印輸出工率(W)：200

增益值值(dB)：11.5

任務熱效率（％）：33

額定容量的電壓(V)：40

的方式：封裝類型的方式分立晶胞管

裝封業務類型:蝶閥法蘭盤

能力利用：GaN-on-SiC