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CGHV40180是款氮化鎵(GaN)高光電遷址率晶胞管(HEMT)。有著前所已失的設置，并能在DC-2.0GHz區間中間打造合適的的瞬時移動寬帶耐熱性。與硅或砷化鎵相較于較，CGHV40180兼有越來越出眾的效果；主要包括越來越高的擊穿電壓場強；越來越高的過剩網絡漂移加快慢越來越高的熱傳導指數。與Si和GaAs多晶體管相對來說較，CGHV40180還提供了更高些的公率孔隙率和更寬的上行帶寬。CGHV40180適用2電纜金屬制/瓷器法蘭盤盤和藥丸式二極管封裝，要能實現目標最好是電器和熱不穩性。

的特征

錄入不適用

180W(CW)低輸出功率

250W舉例工作功率

24dB典型案例小移動信號增加收益值

28V和50V適用

利用層面

統計監測

醫療管理保健養生

網絡帶寬圖像功率放大器

數據信息的安全VHF-UHF

中國國防軍事訓練電力機

的產品規格型號

描素：180瓦；DC-2GHz；氮化鎵高光學轉至率硫化鋅管

最少概率(MHz)：0

高頻繁 (MHz)：2000

最低值的輸出工作效率(W)：200

增益控制值(聲音頻率)：24.0

成功率（％）：70

載荷系數工作電壓(V)：27

款式：封口分立晶胞管

裝封種類：蝶閥法蘭盤、丸狀

枝術利用：GaN-on-SiC