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CREE的CGHV96130F是炭化硅(SiC)基面材料上的氮化鎵(GaN)高滲透率結晶體管(HEMT)與其他的技能比較，CGHV96130F內壁應用(IM)FET存在經驗豐富的輸出功率扣除成功率。與砷化鎵對比，GaN享有有效的能力；還包括越高的擊穿電壓場強；越高的過剩電子漂移進程和越高的熱導率。與GaAs結晶體管相比之下，GaN HEMT還都具有越來越高的工作電壓黏度和更寬的傳輸速率。CGHV96130F安全使用金屬材質/衛浴陶瓷卡箍封口都可以變現最佳選擇的電氣公司和熱不穩性。

優點

166WPOUT（類型值）

7.5dB額定功率收獲值

42%主要PAE

50Ω內外兼容性測試

<0.3dB電率減少

貨品要求

描素：130瓦；8.4-9.6GHz；50Ω；注意廣泛用于Xk線聲納應用領域的鍵盤輸入/效果適應GaNHEMT

最低頻帶寬度(MHz)：8400

很大頻繁(MHz)：9600

高值輸出精度馬力(W)：130

成功率（％）：42

額定功率電壓降(V)：40