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發布公告精力:2023-09-13 16:58:47 搜索:1246
CREE的GTVA101K4是款精心設計的高效率GaN on SiC高電子遷移率晶體管(HEMT);高增益和寬帶寬性能。從而使得GTVA101K4特別適合0.96–1.4GHz頻率段的應用。GTVA101K4晶體管適合于從UHF到1.4GHz的特殊頻率段技術應用。
優點
輸入更換
普通的激光脈沖不間斷波效能;960–1215MHz;50V;一層;128μs脈沖激光間距;10%pwm占空比;P3dB=1400W時的輸入公率;辦公速度=68%;增益控制值=17dB
無鉛并充分考慮RoHS標準規定
運用領域行業
雷達天線放小器
CREE(科銳)揭牌于1987年,CREE科銳掌握30很多年的移動寬帶GAP原料料和轉型升級物品,CREE科銳都是個全版的制定配合朋友,非常符合頻射的業務需求,CREE科銳為行在業內高技術前沿的機子機械設備帶來更強的瓦數和更低的系統耗損。CREE科銳由較早了的GaN基面材料LED類設備技木更優全地球,到微波通信rf射頻與毫米(mm)波IC芯片類設備,CREE科銳于2017年破乳出微波通信頻射項目Wolfspeed,以移動寬帶、大電率變大器類產品為的特色。
北京市立維創展創新科技是CREE的供應商商,有著CREE微波加熱元器件封裝優質供貨周期流通渠道,并不斷貨源現貨交易,以供中華市面需要量。
祥情理解CREE微波射頻射頻微波射頻請雙擊://www.myloveidc.com/brand/35.html

Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
GTVA101K42EV-V1 | GaN on SiC | 0.96 GHz | 1.4 GHz | 1400 W | 17 dB | 68% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Bolt Down |
LTN/GTVA101K42EV-V1 | GaN on SiC | 0.96 GHz | 1.4 GHz | 1400 W | 17 dB | 68% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Bolt Down |