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發布消息用時:2023-02-16 16:39:32 訪問 :735
CREE PTVA120501EA的LDMOSFET結構設計適用于1200至1400MHz頻率段的功率放大器應用領域。特性包括高增益和帶螺母固定法蘭盤的熱高性能封裝形式。PTVA120501EA-V1選用Wolfspeed領先的LDMOS工藝技術;PTVA120501EA-V1提供優異的熱穩定性和優異的安全可靠性。

優點
網絡帶寬輸進替換
高增益控制和高社會效益
最明顯的脈沖發生器CW耐腐蝕性指數公式;1200–1400MHz
50伏
300ms輸入脈沖連續日子
10%pwm占空比
P1dB時的讀取額定功率54W
高質量率55%
收獲值16dB
集成式化ESD護理
低熱擴散系數
無鉛并貼合RoHS標準化規程
適用域
1200至1400MHz概率段的工作功率調小器;雷達探測無線天線
CREE(科銳)開辦于1987年,CREE科銳具備條件30很多年的移動寬帶GAP原文件料和全新類產品,CREE科銳就是一個完整篇的設計方案加盟伙伴們,完全符合rf射頻的需求量,CREE科銳為行行業技術工藝前沿的廣州POS機環保設備帶來更強的最大功率和更低的用途消耗的資金。CREE科銳由最進行的GaN基本的材質材料LED設備技木前沿全地球,到微波rf射頻rf射頻與毫米(mm)波基帶芯片設備,CREE科銳于2017年離心分離出徽波微波射頻項目Wolfspeed,以帶寬、大工作電壓放縮器新產品為一大特色。
珠海市立維創展技術是CREE的銷售商,都有CREE徽波元器件封裝主要優勢訂貨產品線,并持久庫存盤點現貨交易,以便中國內地市廠需要。
內容詳細了解CREE頻射徽波請單擊://www.myloveidc.com/brand/35.html
Product SKU | Technology | Frequency Min | Frequency Max | Peak Output Power | Gain | Efficiency | Operating Voltage | Form | Package Type |
PTVA120501EA-V1 | LDMOS | 1.2 GHz | 1.4 GHz | 50 W | 17 dB | 50% | 50 V | Packaged Discrete Transistor | Bolt Down |