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CUSTOM MMIC很自豪地宣布一項新的技術簡報，闡明了我們在使用GaN技術的無源MMIC混頻器達到令人難以置信的線性極限時所取得的進步。

在過去的一年里，Custom MMIC的混頻器專家一直在探索使用氮化鎵（GaN）工藝作為極線性RF混頻器的基礎。推斷GaN功率放大器的高線性性能可能會交叉到其他關鍵的微波元件，定制MMIC工程師已經與我們的幾個主要代工合作伙伴進行了多次GaN混頻器技術和類型的迭代。

決定，你拼命的成果展影響無源GaN混頻器設汁在手機輸入三階交調截點（IIP3）與當地自激振蕩器（LO）安裝驅動軟件器的比重各方面可超過那些砷化鎵（GaAs）無源混頻器設汁 - a茶葉品質因素來樣加工MMIC將要創造者規則化效果。從S波長到K波長（2 GHz到19 GHz），這樣一種新型無源GaN混頻器展示會的IIP3數值遠不低于30 dBm，LO安裝驅動軟件電平約為20 dBm，規則化效果不低于10 dB。

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