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?CG2H80120D C股票波段GaN HEMT 存儲芯片CREE

公布日期:2022-11-16 16:53:01     看:833

Wolfspeed的CG2H80120D是種氮化鎵(GaN)高電子元器件遷入率硫化鋅管(HEMT)。與硅或砷化鎵不同之處較,GaN符合選擇越的性能指標;CG2H80120D是指越高熱擊穿場強;越高供大于求光電漂移強度;和越高熱導率。與Si和GaAs結晶管對比較,CG2H80120D遵循挺高耗油率密度計算公式和更寬的上行速率。

特征英文

120W精選PSAT

28伏控制

高損壞場強

室溫度控制電腦

高至8GHz的控住

有使用率率

采用

2路專用的wifi手機通信網

移動寬帶縮放器

蜂窩根基場地設施投建

檢驗專用設備

ClassA;AB;基本用作OFDM的平滑縮放器;無限頻分多址;邊沿;CDMA波形圖

CREE(科銳)成為于1987年,CREE科銳符合30幾十年的網絡帶寬GAP原料料和改革創新設備,CREE科銳都是個完整詳細的方案合伙好伙伴,契合微波射頻的需要量,CREE科銳為行同行業能力遙遙領先的系統機械保證更強的最大功率和更低的技能自然損耗。CREE科銳由最逐漸的GaN基本的材質材料LED服務技術水平先進全宇宙,到微波加熱微波射頻與豪米波集成塊服務,CREE科銳于2017年隔離出微波通信rf射頻該品牌Wolfspeed,以寬帶網、大功效增加器產品的為蘇州特色。

西安市立維創展科技發展是CREE的經銷處商,開發CREE徽波元器件主要優勢供貨合同平臺,并繼續庫存積壓現貨平臺,以防中國人貿易市場要求。

商品詳情頁要了解CREE頻射微波射頻請點://www.myloveidc.com/brand/35.html

CG2H80120D.png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CG2H80120D-GP4

GaN on SiC

DC

8 GHz

120 W

>12 dB

65%

28 V

Discrete Bare Die

Die


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