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C中波段氮化鎵 HEMT拖動器CGHV1F025 CREE

推送日子:2022-08-17 16:53:17     瀏覽訪問:956

Wolfspeed的CGHV1F025S是前所未有的;氮化鎵(GaN);高電子遷移率晶體管(HEMTs)設計的高效率;高增益和寬頻帶性能。CGHV1F025適合于L、S、C、X和KU波段放大器技術應用。數據規格基于x波段(8.9-9.6GHz)放大器。

CGHV1F025S運行機制在40伏鐵路線道岔上,芯片封裝在3mmx4mm;界面配置;雙扁長無電纜(DFN)打包封裝。提高了輸出功率;CGHV1F025可能從40V至20VVDD電阻值下使用;保持著高增益控制和更高利用率。

基本特征

達15GHz的操控性

25W典型案例輸出的熱效率

9.4GHz時11dB增益控制值

8.9–9.6GHz的技術行業應用行業應用電路設計

技術應用

L;S;C;X 和Kuk線增加器

CREE(科銳)開辦于1987年,CREE科銳滿足30豐富的光纖寬帶GAP原相關材料料和技術創新商品,CREE科銳是一種個完整篇的設計構思企業合作同伴,具有頻射的市場需求,CREE科銳為行行業新技術智領的儀器專用設備供給更強的電機功率和更低的實用功能耗率。CREE科銳由最現在開始的GaN基本材料LED企業品牌技術應用當先全天下,到微波通信rf射頻與亳米波處理器企業品牌,CREE科銳于2017年剝離 出紅外光rf射頻項目Wolfspeed,以寬帶網、大額定功率調小器軟件為獨特。

珠海市立維創展科技創新是CREE的代理商商,占有CREE微波通信配件優劣勢訂貨渠道方式,并長期的銷量現貨交易,以備不時之需我們的市場所需。

具體詳情介紹CREErf射頻紅外光請點選://www.myloveidc.com/brand/35.html

 CREE.png

Product SKU

Technology

Frequency Min

Frequency Max

Peak Output Power

Gain

Efficiency

Operating Voltage

Form

Package Type

CGHV1F025S-AMP1

GaN on SiC

8.9 GHz

9.6 GHz

25 W

11 dB

51%

40 V

Evaluation Board

Surface Mount

CGHV1F025S

GaN on SiC

DC

15 GHz

25 W

11 dB

51%

40 V

Packaged Discrete Transistor

Surface Mount

 


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