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 HMC637BPM5E就是一款砷化鎵(GaAs)、單集合電路原理芯片微波射頻集合電路原理(MMIC)、假晶高光電變更率尖晶石管(pHEMT)、級聯生長式耗油率放小器，在沒問題運行時可推動自偏置且擁有IDQ可以偏置設定和收獲校準。該放小器的運行率范圍圖為DC至6 GHz，展示 15 dB小警報收獲、27.5 dBm輸出的的耗油率（1 dB收獲縮小）、40 dBm其最典型的輸出的的IP3和4 dB噪音分貝均值，采用了VDD 12 V電源線的電壓時能耗為335 mA。HMC637BPM5E在DC至6 GHz範圍內的增益控制平淡度（主要表現值±0.5 dB時）愈來愈表現出色，而特別可以軍事戰爭、航天飛機和測試方法產品應該用。HMC637BPM5E還有著內部組織連接至50 Ω的搜索/所在(I/O)，選用完全符合RoHS標準的5 mm × 5 mm LFCSP預制構件空腔二極管封裝，可與高存儲量表貼技藝(SMT)轉配產品兼容。

HMC637BPM5E結構圖

HMC637BPM5E應用

• 軍事與太空
• 測試儀器儀表

HMC637BPM5E優勢和特點

• P1dB輸出功率：27.5 dBm（典型值）
• 增益：15 dB（典型值）
• 輸出IP3：40 dBm（典型值）
• 在VDD = 12 V（335 mA，典型值）下自偏置，VGG1（針對IDQ調整）和VGG2（針對增益控制）具有可選偏置控制
• 50 Ω匹配輸入/輸出
• 32引腳、5 mm × 5 mm LFCSP封裝：25 mm2