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UMS公厘波里面的連接GAN最大功率氯化鈉晶體管

上線用時:2022-04-13 16:54:30     瀏覽訪問:964

GaN材料是第三代半導體的典型代表,具備寬禁帶、高擊穿場強、高熱導率和高峰值電子漂移速度等優質性能。因此,GaN材料可以很好地滿足耐高溫、高頻率和功率大的工作要求,GaN功率晶體管一直是L和S波段雷達系統中線性和壓縮功率放大器的有源元件。Gan功率晶體管可用作航空電子、商業服務、工業生產、醫療設備和國防軍事用途的電路和系統中的各種應用。它們都通過寬帶gap GaN半導體材料的作用,在小封裝中產生高功率密度和高輸出功率電平的RF/微波晶體管

UMS厘米波作為為ASIC或導航類產品的全等方面價格行情,通常為裝修公司室內的III-V水平,并保證全的方面的合作合同服務于,使合作方可能可以直接搭建自個兒的貨品消除方案怎么寫。UMS亳米波的大多數目錄格式產品設備從DC到100GHz都依據GaAs、Gan和SiGe高技術,也包括可高達200W的電率縮放器、相混衛星信號技能、非常低噪聲源縮放器和完成的發送器機系統。UMS車輛以摸具的的行式出示,但一般以多集成電路芯片版塊的的行式裝封。

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UMS低噪聲放大器.png

Reference

RF Bandwidth (GHz)

Small signal Gain
(dB)

Power
(W)

Associated Gain
(dB)

PAE
(%)

DC Bias

Case

min

max

CHZ180AaSEB

1.2

1.4

20

200

>14

52

VDS 45V @ ID_Q 1.3A

Ceramic Metal Flange

CHZ015AaQEG

1.2

1.4

17.2

15

> 14

> 55

VDS 45V@ID_Q 100mA

QFN Plastic package

CHZ8012-QJA

2.6

3.4

16.5

12

11

55

VDS 30V @ ID_Q 180mA

QFN Plastic package

CHZ9012-QFA

2.7

3.4

16

65

12

55

VDS 30V@ID_Q 800mA

QFN Plastic package


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