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AMCOMrf射頻尖晶石管GaAs FET

分享周期:2020-09-15 15:12:31     搜素:1852

AMCOM砷化鎵場因素尖晶石管(GaAs FET)就是種針對性在中頻、超中頻和微波rf射頻rf射頻變成集成運放的場定律結晶體管。AMCOM頻射尖晶石管GaAs FET的頻率范圍跨越電磁輻射譜,從30 MHz到紅外波段。AMCOM頻射硫化鋅管GaAs FET以其靈敏度而聞名,而GaAs FET產生的內部噪聲很小。這主要是由于GaAs具有很強的載流子遷移率。電子可以輕易、快速地穿過半導體材料。AMCOM微波射頻硫化鋅管GaAs FET也是種消耗殆盡集成電路芯片,這暗示著當管理工業沒有輸出功率時,它會導電,當柵極有輸出功率時,溝道電阻率會降低了。

在弱4g信號無線網絡數據通信和電臺推送角度,AMCOMRF納米線管GaAs FET的性能參數相對比較一般數另一個類型、、的場效果晶狀體管。一系列類型、、的GaAs FET也用來微波射頻耗油率變小器。GaAs FET也代替宇宙飛船網絡通信、射電天文學和遠程電興趣愛好所做的實驗所。

AMCOM頻射硫化鋅管GaAs FET享有穩定的非線性度。

山東市立維創展高新科技AMCOM代理商商,專業技術提拱AMCOM物料型號涉及到:rf射頻晶狀體管、MMIC最大瓦數放縮器、交織放縮器接口、寬帶網絡放縮器、高最大瓦數放縮器接口、帶RFDC連到器的高工率縮放器模塊電源和低噪音污染縮放器,工率縮放器,控制開關,衰減器,移相器同時上/底下變頻器的環保定制家具等,食品原裝機進口清關,產品可以保障,認可聯系。

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 AMCOM.png

建模

頻率(GHz)

最大頻率(GHz)

增益(dB)

P1噪音分貝(dBm)

IP3(dBm)

偏差(V)

AM010MH4-BI-R

直流電電

3

19

31

46

-28

AM030MH4-BI-R

電流電

3

19

36

49

-28

AM006MX-QG-R

直流電源電

6

13

22

34

-5

AM012MX-QG-R

直流電電

6

13.5

25

37

-5

AM024MX-QG-R

交流電電

6

13

28

39

-5

AM036MX-QG-R

整流電

6

12

29.5

42

-5

AM048MX-QG-R

電流電

6

11

31

43

-5

AM072MX-CU-R

直流電源電

6

11

34

46

-7

AM100MX-CU-R

直流電電

6

10

35

48

-7

AM150MX-CU-R

直流電源電

6

10

36.5

50

-7

AM200MX-CU-R

直流電電

6

10

38

48

-7

AM300MX-CU-R

整流電

6

9

39.5

51

-7

AM005MH2-BI-R

直流變壓器電

6

15

25

40

-14

AM010MH2-BI-R

直流電電

6

15

28

43

-14

AM032MH4-BI-R

直流電源電

6

19

36

49

-28


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